功率器件SJ-MOSFET产品优势及应用

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晶圆工艺:
采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超结工艺 ，更少的光罩层数，生产周期更短，更具成本优势

低内阻:
特殊的超结结构让高压超结MOS内阻在同样面积情况下降低到VDMOS的1/3-1/5

更高效率:
较高的轻载，满载效率，超低的导通内阻，有效的降低导通、开关损耗

低温升:
较低的功耗，有效的降低电源整体的工作温度，延长电源的使用寿命

易用性:
使用过程中简单易用，驱动电流需求小，对新一代高速开关电源提供有力的支持

应用范围广:
适宜于对系统效率有更高要求的照明应用、各类电源、适配器及智能手机、平板电脑充电器中，以及大功率充 电桩， LED电源、通讯、服务器电源等